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温州，简称“温”或“瓯”，是浙江省地级市，长江三角洲中心区27城之一 [1]  ，国务院批复确定的中国东南沿海重要的商贸城市和区域中心城市 [2]  。截至2019年，全市下辖4个区、5个县、代管3个县级市，总面积11612.94平方千米 [3]  ，2019年末全市常住人口为930万人，其中市区人口305.2万人；城镇化率为70.5%，全市户籍总人口832.4万人，常住外来人口达297万人。 [4] 

温州地处中国华东地区、浙江东南部、瓯江下游南岸，东濒东海、南毗福建、西及西北部与丽水市相连、北和东北部与台州市接壤，是中国数学家的摇篮、中国南戏的故乡、中国海鲜鸡蛋之乡、中国鞋都，温州人被国人称之为东方犹太人。 [5] 

温州是国家历史文化名城 [6]  ，素有“东南山水甲天下”之美誉。 [7]  温州古为瓯地，也称东瓯，公元323年建郡，为永嘉郡，传说建郡城时有白鹿衔花绕城一周，故名鹿城。 [8]  唐朝时（公元675年）始称温州 [8]  ，至今已有2000余年的建城历史。温州是中国民营经济发展的先发地区与改革开放的前沿阵地，在改革开放初期，以“南有吴川，北有温州”享誉全国。

2017年中国百强城市排行榜排37位。 [9-10]  2018年，温州市生产总值（GDP）6006.2亿元，比2017年增长7.8%。 [11]  2019年，全年全市实现生产总值（GDP）6606.1亿元，按可比价计算，同比增长8.2%。 [12] 

2018年12月，温州入选2018中国大陆最佳地级城市30强。

它的宽度为 14nm，就表明这个芯片的制程为 14nm，它的宽度为 5nm，那么这个芯片的制程就是 5nm。

当栅极的宽度越窄，晶体管也就能够做得越小，晶体管越小，单位面积就能放下更多晶体管，芯片的性能就越强。

可是呢，这个栅极宽度并不能做得无限窄，因为栅极变窄的同时，源极和漏极的距离也在变近，当距离近到一定程度时，就会发生彼此漏电的问题。

当栅极宽度小于 20nm 的时候，漏电率就会急剧增加；大约小于 7nm 的时候，就会产生量子隧穿效应，导致晶体管的特性难以控制。

量子隧穿的事我们先不谈，先说第一个漏电率的问题，怎么解决的呢？半导体行业给出的方案是改造晶体管的结构，采用 3D FinFET。

3D FinFET 其实就上把晶体管的源极和漏极从平面的改成立体的，竖了起来，然后栅极做成三面环绕源极和漏极的样子。

整个结构有点像鱼鳍，所以也叫鳍型 MOSFET。

这么做的好处是在宽度缩小的同时增加了栅极的接触面积，从而加强对电流的控制。

这个方案在后续不断改进中一直撑到今天，当然，随着工艺继续缩小，科学家也在尝试新的解决方案，这里就不提了。

二、英特尔干不过台积电和三星？并不是

了解到这里，相信大家对半导体的制程工艺已经有了更深刻的认识。

但其实，制程工艺，也就是所谓的栅极线宽，并不是影响芯片性能唯一重要的因素。

晶体管要做小，芯片性能要提高，并不是只要把栅极宽度做窄就够了。

我们再想想，晶体管是什么？在数字芯片里，就是一个个的小开关，控制着 “0”、“1”的信号，这样的小开关越多，单位时间里就能做更多次的运算，性能也就越高。

所以我们把晶体管做小的目的，就是要在单位面积里塞进更多的晶体管，换句话说就是提高晶体管的密度。

这也是英特尔和台积电、三星们的分歧所在。

其实我们一直说 “制程工艺就是栅极的宽度”，这只是一个定义，理论上是这样而已。

实际上，在节点技术不断推进的过程中，制程工艺的数字已经和栅极的实际宽度渐渐偏离了，只是这个偏离度比较微小。

说白了，就是栅极实际宽度越来越达不到制程工艺说的那个数字。

例如半导体分析厂商 ChipWorks、Techinsights 以及 Linley Group 都曾对英特尔、台积电和三星的芯片做过测量分析。

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